Mems代工
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光刻工艺是MEMS技术里用得最频繁，最关键的技术之一，光刻工艺将掩膜图形转移到衬底表面的光刻胶图形上，根据曝光方式可分为接触式、接近式和投影式。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
硅片、GaN、GaAs、玻璃、蓝宝石、柔性材料等。
| 电子束光刻（EBL） | 最小线宽：50nm，套刻精度：40nm 曝光范围<直径75mm； 样品大小：15mm*15mm、20mm*20mm、2inch、3inch、4inch； 光刻胶种类：PMMA A2、PMMA A4、PMMA A8； |
| 步进式光刻（nikon i10、i12、S204B） | 最小线宽：0.2μm ；套刻精度≤0.1μm； 适用2inch、4inch、6inch、8inch晶圆； |
| 接触/接近式光刻（MA8/BA8） | 分辨率优于1.0um；正面套刻精度：±0.25um； 背面套刻精度：±1.0um；支持自动对位；支持2inch-8inch晶圆曝光； |
