光刻
镀膜
刻蚀
电镀
外延掺杂&退火
封装
测试
柔性电极
微孔&纳米孔
微流道器件
MEMS传感器
微针
Si透镜
SiN薄膜窗口
掩模板
光刻胶
硅片
公司新闻
行业新闻
公司介绍
合作客户
联系方式
在线留言
百度地图
业务合作
提供全方位MEMS解决方案
外延是指在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，在MEMS中常用的方法是金属有机物化学气相沉积（MOCVD）。掺杂是指在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化，MEMS工艺的常用掺杂技术主要有两种，即高温（热）扩散和离子注入。
硅片、GaN、GaAs、蓝宝石等材料。
1150℃
快速退火
