Mems代工
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外延是指在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，在MEMS中常用的方法是金属有机物化学气相沉积（MOCVD）。掺杂是指在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化，MEMS工艺的常用掺杂技术主要有两种，即高温（热）扩散和离子注入。
硅片、GaN、GaAs、蓝宝石等材料。
| 外延生长（Mocvd） | GaN、AlGaN、AlN、InGaN等GaN基材料 |
| 离子注入 | B，P，F，Al，N，Ar，H，He，Si |
| 高温氧化 | 1150℃ |
| 高温扩散/退火 | 900-1000℃ |
快速退火 | 150-1000℃ |
