Mems代工
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刻蚀是微纳制造工艺中相当重要的一步。刻蚀是用物理的、化学的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分材料去除，从而得到和抗蚀剂一致的图形，实现图形转移。
硅片、GaN、GaAs、玻璃、蓝宝石、氧化硅、氮化硅、金属、石英等材料。
| 深硅刻蚀（DRIE） | 刻蚀深宽比20：1；刻蚀均匀性<±5%；胶选择比＞50:1 |
| 反应离子刻蚀（RIE） | SiO₂；SiNx |
| ICP（电感耦合等离子体刻蚀） | GaN、GaAs、InP |
| NLD刻蚀（等离子体刻蚀机） | SiO₂、SiNx、SiC、石英等材料 |
IBE刻蚀（离子束刻蚀） | 用于较难刻蚀的金属或其它介质材料 |
湿法腐蚀 | 碱性：KOH、TMAH、金腐蚀等腐蚀；酸性：HF、BOE、HCI、HNO3、H2SO4、CR腐蚀液、ITO腐蚀液 |
